DENSO développe son premier onduleur utilisant des semi-conducteurs de puissance SiC

– Les puces en carbure de silicium hautement efficaces réduisent considérablement les pertes de puissance dans les véhicules électriques –

KARIYA, Japon (31 mars 2023) - DENSO CORPORATION, l'un des principaux fournisseurs de mobilité, a annoncé avoir développé son tout premier onduleur avec des semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC). Cet onduleur, qui est intégré à l'eAxle, un module de conduite électrique développé par BluE Nexus Corporation, sera utilisé dans la nouvelle Lexus RZ, le premier modèle de véhicule électrique à batterie (BEV) dédié du constructeur automobile et lancé le 30 mars.

Les semi-conducteurs de puissance SiC sont constitués de silicium et de carbone qui réduisent considérablement la perte de puissance par rapport aux semi-conducteurs de puissance en silicium (Si). Un test de croisière mené dans des conditions spécifiques par BEV à l'aide d'onduleurs à semi-conducteur SiC a démontré que les onduleurs à semi-conducteur de puissance SiC réduisent la perte de puissance de moins de la moitié de ceux avec un semi-conducteur Si. En conséquence, l'efficacité énergétique des BEV est améliorée et l'autonomie de croisière est étendue.

Éléments clés du développement du nouvel onduleur • Les semi-conducteurs de puissance SiC avec la structure MOS (métal-oxyde-semi-conducteur) unique de DENSO*1 améliorent la sortie par puce car ils réduisent la perte de puissance causée par la chaleur générée. La structure unique permet d'obtenir un fonctionnement à haute tension et à faible résistance à l'état passant*2.

Éléments clés de la fabrication du nouvel onduleur• Basé sur la technologie de haute qualité développée conjointement par DENSO et Toyota Central R&D Labs., Inc., DENSO utilise des tranches épitaxiales SiC*3 qui intègrent les résultats des travaux commandés par New Energy and Industrial Technology Development Organisation (NEDO). En conséquence, DENSO a réduit de moitié le nombre de défauts cristallins qui empêchent le dispositif de fonctionner normalement en raison du désordre de l'arrangement atomique du cristal. • En réduisant les défauts cristallins, la qualité des dispositifs semi-conducteurs de puissance SiC utilisés dans les véhicules et leur stabilité la fabrication est assurée.

DENSO appelle sa technologie SiC « REVOSIC® » et l'utilise pour développer des technologies complètes pour des produits allant des wafers aux dispositifs à semi-conducteurs et aux modules tels que les cartes de puissance. DENSO contribuera à la réalisation d'une société neutre en carbone grâce à un développement visant à gestion de l'énergie pour les véhicules, tout en utilisant la subvention du Green Innovation Fund (GI Fund) *4, qui a été adoptée en 2022.

*1 Structure MOS de type tranchée unique de DENSO : Dispositifs semi-conducteurs avec une grille de tranchée utilisant la technologie de relaxation de champ électrique brevetée de DENSO.*2 Résistance à l'état passant : Une mesure de la facilité de circulation du courant ; plus la valeur est faible, plus la perte de puissance est faible.*3 Plaquettes épitaxiales de SiC : Plaquettes monocristallines de SiC avec couche mince de SiC à croissance épitaxiale.*4 Fonds d'innovation verte (Fonds GI) : Le Fonds GI a été créé par le ministère de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie (METI) et attribué à NEDO dans le but d'atteindre la neutralité carbone d'ici 2050. DENSO a été sélectionné pour recevoir des subventions pour un projet visant à développer une technologie de fabrication pour les dispositifs semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération (pour les véhicules électriques).

Photos du produit

Onduleur

Carte de puissance

【Référence】Pour plus de détails sur REVOSIC®, veuillez visiter : https://www.denso.com/global/en/news/newsroom/2020/20201210-g01/